型号: ALD212900ASAL
功能描述: MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
Id-连续漏极电流: 79 mA
Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 10 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10.6 V
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 500 mW
配置: Dual
通道模式: Depletion
封装: Tube
系列: ALD212900A
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Advanced Linear Devices
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 85 mg
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