型号: AM2340NE-T1
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.3A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 3.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.1W
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈浩
电话：18676772956
Q Q:
联系人：李先生
电话：18028765167
Q Q:
联系人：段小姐
电话：18818700606
Q Q:
