型号: AM4492N
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 5.5A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 40mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 3.1W
类型: N沟道
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:许小姐
电话:18118747668
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:张小姐
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:Alien
联系人:郭R
电话:2366341868
联系人:蒙生
Q Q:
联系人:但敏
电话:18372711485