型号: AM60N10-70PC
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.7W 类型:N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 50A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 34mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 3.7W
类型: N沟道
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