型号: AO3414A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 50uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道
制造商: UMW(友台半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.2A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 50uA
漏源导通电阻: 35mΩ @ 3.6A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 400mW
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：张顺方
电话：15099977019
Q Q:
联系人：刘威
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13642999982
Q Q:
