型号: AO4485L
功能描述:
制造商: AOS
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 55nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3000pF @ 20V
功率耗散（最大值）： 1.7W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 15 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO
封装/外壳： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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