型号: AO4800
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.78W 类型：双N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6.2A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 22mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.78W
类型: 双N沟道
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