型号: AO6608
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 和 P 沟道互补型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 30V，20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.4A（Ta），3.3A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA，1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 235pF @ 15V，510pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.25W（Ta）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
供应商器件封装： 6-TSOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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