型号:  AOB1100L

功能描述:  

制造商:  Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  8A（Ta），130A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  100nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4833pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  2.1W（Ta），500W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  11.7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  TO-263（D²Pak）

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs