型号: AOD400
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.25W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 21.8A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 7mΩ @ 21.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.25W
类型: N沟道
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱春游
电话：18902310817
Q Q:
联系人：吕小姐,陈先生
电话：13760444679
Q Q:
联系人：朱先生，汪小姐
Q Q:
