型号: AOD425_001
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2200pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），71W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 17 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：陈R
Q Q:
联系人：王淑丽
电话：029-88256270
Q Q:
联系人：陈生
电话：13510269456
Q Q:
