型号: AOE6932
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 55A (Tc), 85A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5 毫欧 @ 20A, 10V, 1.4 毫欧 @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA，1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
功率 - 最大值： 24W, 52W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：周泽龙
电话：17318032907
Q Q:
联系人：张燕
电话：13631518768
Q Q:
联系人：陈嘉杰
Q Q:
