型号: AOI4S60
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 263pF @ 100V
功率耗散（最大值）： 56.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 900 毫欧 @ 2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251A
封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：l刘
Q Q:
联系人：连生
Q Q:
联系人：石
电话：18575587271
Q Q:
