型号: AOI530
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 62nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3130pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.7 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251A
封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：刘思，戴勇
电话：13825289019
Q Q:
联系人：吴柔
电话：18177911802
Q Q:
