型号: AON2408
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 7nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 782pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14.5 毫欧 @ 8A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-DFN-EP（2x2）
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
联系人：林宏发
电话：18926565161
Q Q:
联系人：曾
电话：15814611016
Q Q:
