型号: AON5802BL
功能描述: MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7.2A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 19 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1150pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.6W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-DFN-EP（2x5）
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