型号: AON6268
功能描述: MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN
制造商: AOS
系列： AlphaSGT™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 44A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 65nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2520pF @ 30V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 56W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4.7 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线
封装形式Package： DFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 44A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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Q Q:
