型号: AON6368
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 25A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 13nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 820pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 6.2W（Ta）, 27W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.1 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：胡
电话：13725538488
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13539053038
Q Q:
联系人：罗R
Q Q:
