型号: AON6484
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.3A（Ta），12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 942pF @ 50V
功率耗散（最大值）： 2W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 79 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：谢
电话：15361410429
Q Q:
联系人：刘嘉
电话：18098935693
Q Q:
联系人：马先生
电话：17600810816
Q Q:
