型号: AON6920_001
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A，26.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1560pF @ 15V
功率 - 最大值： 2W，2.2W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
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联系人：蔡升航
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联系人：聂绍明
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联系人：蔡经理，张小姐
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联系人：黄
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Q Q:
