型号: AON7400B_101
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 26nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1440pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），24W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7.5 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：郭先生
电话：13422881663
Q Q:
联系人：林宇
电话：13164730858
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
