型号: AON7410L_101
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.5A（Ta），24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 660pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 20 毫欧 @ 8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（3x3）
封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：余亮
电话：15817462164
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：辜先生
电话：13528816759
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：唐云
电话：13530452646
Q Q:
联系人：方
电话：13717131744
Q Q:
