型号: AONR21357
功能描述: MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 7.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 70nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2830pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 5W（Ta），30W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
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