型号: AOT11N70
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 45nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2150pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 271W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 870 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：秦，林
电话：18682115725
Q Q:
联系人：张坚泉
电话：15813813922
Q Q:
联系人：郑
电话：18090100563
Q Q:
