型号: AOT1606L
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A（Ta），178A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 102nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4500pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），417W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.3 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：蔡信亮
电话：13415000122
Q Q:
联系人：陈远红
电话：15999652886
Q Q:
联系人：小李
Q Q:
