型号: AOTF10N60_003
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 40nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1600pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 750 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220-3F
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：周先生
电话：17612073080
Q Q:
联系人：Alan
电话：13798325538
Q Q:
联系人：廖生
Q Q:
