型号: AOTF16N50
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 51nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2297pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 370 毫欧 @ 8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220-3F
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：JUANY
Q Q:
联系人：范小姐
电话：13760354427
Q Q:
联系人：连先生
电话：13714911460
Q Q:
