型号: AOV11S60
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 650mA（Ta），8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 11nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 545pF @ 100V
功率耗散（最大值）： 8.3W（Ta），156W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 500 毫欧 @ 3.8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳： 4-PowerTSFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：翁万吉
Q Q:
联系人：林先生
电话：13918834379
Q Q:
联系人：陈小姐,李小姐,林先生
电话：13543259139
Q Q:
