型号: AP3N1R8MT
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.89mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：N沟道
制造商: APEC(富鼎)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40.6A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.89mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 5W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13544176115
Q Q:
联系人：李师哲
电话：13048971103
Q Q:
联系人：郭海英
电话：13798387995
Q Q:
