型号: APT10021JLL
功能描述:
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 7®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 37A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 5mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 395nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9750pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 694W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 210 毫欧 @ 18.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
封装形式Package： SOT-227
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1000V
连续漏极电流ID： 37A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：梁生
电话：13556878030
Q Q:
联系人：李亿
电话：15875549923
Q Q:
联系人：朱
电话：15219483667
Q Q:
