型号:  APT1003RSLLG

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D3PAK

制造商:  microsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  4A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  1000V (1kV)

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  34nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  694pF @ 25V

Mounting Type：  Surface Mount

Package / Case：  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Power - Max：  139W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  3 Ohm @ 2A, 10V

Supplier Device Package：  D3 [S]

Vgs(th) (Max) @ Id：  5V @ 1mA

包装：  3D3PAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  1000 V

最大连续漏极电流：  4 A

RDS -于：  3000@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  8 ns

典型上升时间：  4 ns

典型关闭延迟时间：  25 ns

典型下降时间：  10 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Rail / Tube