型号:  APT10086BVR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247

制造商:  microsemi

包装：  3TO-247

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  1000 V

最大连续漏极电流：  13 A

RDS -于：  860@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  12 ns

典型上升时间：  10 ns

典型关闭延迟时间：  43 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

最大门源电压：  ±30

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  TO-247

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  860@10V

最大漏源电压：  1000

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  TO-247

最大功率耗散：  370000

最大连续漏极电流：  13

引脚数：  3

漏极电流（最大值）：  13 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �30 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  370 W

噪声系数：  Not Required dB

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-247

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  1000 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  13 A

删除：  Not Compliant