型号: APT100GLQ65JU3
功能描述: IGBT 模块
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: -
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
在25 C的连续集电极电流: 165 A
栅极—射极漏泄电流: 150 nA
Pd-功率耗散: 430 W
封装 / 箱体: SOT-227-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
商标名: ISOTOP
单位重量: 30 g
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