型号: APT10M19SVRG
功能描述:
制造商:
标准包装: 30
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单
系列: POWER MOS V®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准型
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 19 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6120pF @ 25V
功率 - 最大: 370W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装: D3 [S]
包装: 管件
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