型号: APT11GP60BDQBG
功能描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI
制造商: microsemi
- 集电极电流（Ic）（最大）： 41A
IGBT Type： PT
Input Type： Standard
Mounting Type： Through Hole
Package / Case： TO-247-3
Power - Max： 187W
Supplier Device Package： TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.7V @ 15V, 11A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600V
联系人：肖瑶，树平
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