型号: APT12067B2FLLG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 150nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4420pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 565W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 670 毫欧 @ 9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： T-MAX™ [B2]
封装/外壳： TO-247-3 变式
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：曹治国
电话：15915353327
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
联系人：胡
Q Q:
