型号: APT13003NZTR-G1
功能描述: Power Transistor To92
制造商: Diodes Incorporated
电流-集电极（Ic）（最大值）： 1.5A
电压-集射极击穿（最大值）： 900V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 400mV @ 250mA，1A
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 5 @ 1A，2V
功率-最大值： 1W
频率-跃迁： 4MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-92
极性Polarity： NPN
集电极_发射极击穿电压VCEO： 530V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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