型号:  APT20M20B2LLG

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) T-MAX

制造商:  microsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  100A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  200V

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  110nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  6850pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-247-3 Variant

Power - Max：  568W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  20 mOhm @ 50A, 10V

Supplier Device Package：  T-MAX™ [B2]

Vgs(th) (Max) @ Id：  5V @ 2.5mA

包装：  3T-MAX

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  200 V

最大连续漏极电流：  100 A

RDS -于：  20@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  13 ns

典型上升时间：  40 ns

典型关闭延迟时间：  26 ns

典型下降时间：  2 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  T-MAX

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

最大漏源电阻：  20@10V

最大漏源电压：  200

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  T-MAX

最大功率耗散：  568000

最大连续漏极电流：  100

引脚数：  3