型号: APT20M38SVRG
功能描述: MOSFET Power MOSFET - MOS5
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D3PAK-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 67 A
Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 148 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 370 W
通道模式: Enhancement
商标名: Power MOS V
封装: Tube
高度: 5.08 mm
长度: 16.05 mm
宽度: 13.99 mm
商标: Microchip / Microsemi
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 38 g
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