APT22F120B2规格参数_APT22F120B2全国代理商/分销商

型号: APT22F120B2
功能描述: APT22F120 Series N Channel 700 mOhm 1040 W 260 nC 1200 V 23 A Mosfet - TO-247-3
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 8™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 23A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 260nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8370pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 1040W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 700 毫欧 @ 12A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-247-3 变式
封装形式Package： T-MAX
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1200V
连续漏极电流ID： 23A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs