型号: APT26M100JCU2
功能描述: 1000V 396mOhm 543w Boost chopper SiC MOSFET ISOTOP
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 8™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 26A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 305nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7868pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 543W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 396 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
封装形式Package： SOT-227
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1000V
连续漏极电流ID： 26A
无铅情况/RoHs： 否
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