型号: APT30GP60B2DLG
功能描述:
制造商: Microsemi
IGBT 类型： PT
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.7V @ 15V，30A
功率 - 最大值： 463W
开关能量： 260µJ（开），250µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 90nC
25°C 时 Td（开/关）值： 13ns/55ns
测试条件： 400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： T-MAX™
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
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Q Q:
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