型号: APT30M60J
功能描述: MOSFET Power MOSFET - MOS7
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 31 A
Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 215 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 355 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 42 S
下降时间: 44 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 145 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
单位重量: 30 g
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