型号: APT30M70SVRG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 225nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5870pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 370W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 70 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D3 [S]
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：刘财路
电话：13410000176
Q Q:
联系人：蒋俊峰
电话：13302945766
Q Q:
联系人：夏辉
电话：13828713911
Q Q:
