APT30N60BC6规格参数_APT30N60BC6全国代理商/分销商

型号: APT30N60BC6
功能描述: APT30N60 Series 600 Vds 30 A 219 W 0.125 Ohm Super Junction Mosfet - TO-247-3
制造商: Microsemi
系列： CoolMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 30A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 960µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 88nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2267pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 219W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 125 毫欧 @ 14.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 30A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs