型号: APT35GP120JDQ2
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APT35GP120JDQ2
标准包装： 10
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 模块
系列： POWER MOS 7®
IGBT 类型： PT
配置： 单一
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 64A
功率 - 最大值： 284W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 3.9V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）： 350µA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）： 3.24nF @ 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
安装类型： 底座安装
封装/外壳： ISOTOP
供应商器件封装： ISOTOP®
其它名称： APT35GP120JDQ2MIAPT35GP120JDQ2MI-ND
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