型号: APT40SM120S
功能描述:
制造商: Microsemi
FET类型： N 沟道
技术： SiCFET（碳化硅）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 41A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 130nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2560pF @ 1000V
Vgs（最大值）： +25V，-10V
功率耗散（最大值）： 273W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 100 毫欧 @ 20A，20V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
封装形式Package： D3PAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1200V
连续漏极电流ID： 41A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：梅
电话：13072755204
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：13828783931
Q Q:
联系人：胡火平
电话：13713793406
Q Q:
