型号: APT46GA90JD40
功能描述: IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 87 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 284 W
封装 / 箱体: SOT-227-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
宽度: 25.4 mm
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 30 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
商标名: POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量: 30 g
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：13128990370
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：朱女士，王生
电话：13316425118
Q Q:
