型号: APT4M120K
功能描述: MOSFET Power MOSFET - MOS8
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.12 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 225 W
通道模式: Enhancement
商标名: POWER MOS 8
封装: Tube
高度: 9.19 mm
长度: 10.26 mm
宽度: 4.72 mm
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 4.5 S
下降时间: 6.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.4 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 7.4 ns
单位重量: 6 g
联系人：赵军
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联系人：李先生
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联系人：肖瑶，树平
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