型号: APT5010LLLG
功能描述:
制造商: Microsemi
系列： POWER MOS 7®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 46A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 95nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4360pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 520W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 100 毫欧 @ 23A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
封装形式Package： T-MAX
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 46A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
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Q Q:
